Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol]
| dc.contributor.author | Popa, Mihail | |
| dc.contributor.author | Rusu, Gheorghe Ioan | |
| dc.date.accessioned | 2016-03-16T08:07:04Z | |
| dc.date.available | 2016-03-16T08:07:04Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.description.abstract | Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică. | ro |
| dc.identifier.citation | Popa, Mihail. Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe / Mihail Popa, Gheorghe Ioan Rusu // Fizică şi tehnică : procese, modele, experimente : rev. şt. a profilului de cercetare „Proprietăţile fizice ale substanţelor în diverse stări”. - 2008. - Nr 1. - P. 20-24. | ro |
| dc.identifier.uri | http://riora.usarb.md:4000/handle/123456789/1704 | |
| dc.language.iso | ro | ro |
| dc.publisher | USARB | ro |
| dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internațional | * |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
| dc.subject | straturi subţiri de ZnSe | ro |
| dc.subject | dispozitive semiconductoare | ro |
| dc.subject | straturi epitaxiale | ro |
| dc.title | Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol] | ro |
| dc.type | Article | en |