Browsing by Author "Rusu, Gheorghe Ioan"
Now showing 1 - 13 of 13
Results Per Page
Sort Options
Item Cercetarea caracteristicii curent-tensiune pentru structurile de tip sandwich In – ZnSe – In [Articol](USARB, 2009) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanÎn această lucrare se studiază caracteristica curent-tensiune pentru. Valorile găsite pentru înălţimea barierii de potenţial concordă bine cu cele găsite pentru cristalele de ZnSe. Aceasta se poate explica prin faptul că în cadrul sistemelor sandwich contactul dintre cristalite poate influenţa mai puţin mecanismul conducţiei electrice.Item Cercetarea dependenţei de temperatură a conductivităţii electrice la straturile subţiri semiconductoare de ZnSe [Articol](USARB, 2008) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanStaturile subţiri de ZnSe au fost depuse pe suporturi de sticla prin evaporare termică în vid în volum cvasi-închis. Ca rezultat al tratamentului termic, ce constă din cîteva cicluri de încălzire/răcire succesive într-un domeniu determinat de temperaturi (∆T=300-500K), dependenţa de temperatură a conductivităţii electrice devine reversibilă. Acest fapt indică o stabilizare a structurii straturilor.Item Cercetarea termoluminiscenţei straturilor subţiri de znse(USARB, 2011) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanÎn lucrare sunt prezentate rezultatele cercetării termoluminiscenţei straturilor subţiri policristaline de ZnSe. Dependenţa spectrală a termoluminiscenţei este formată din două maxime, primul cel mai intens la Tmax = 153K şi al doilea la Tmax = 216K. Valorile energiei de ionizare a nivelelor de captură, Et, determinate din această dependenţă, sunt egale cu 0.062eV şi 0.44eV de la marginea inferioară a benzii de conducţie, iar nivelul de localizare a centrelor de recombinare – la 0.66eV de la marginea superioară a benzii de valenţă.Item Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol](USARB, 2008) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanStraturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică.Item Determinarea indicelui de refracţie a straturilor subţiri de ZnSe prin metoda Swanepoel [Articol](USARB, 2006) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanSpectrele de transmisie, reflexie şi absorbţie ale straturilor subţiri de ZnSe au fost cercetate în domeniul spectral de lungimi de undă 300 – 1400 nm. Din spectrele de transmisie, folosind metoda „anvelopei” propusă de Swanepoel, a fost determinat indicele de refracţie ale straturilor subţiri policristaline de ZnSe. Acesta scade odată cu creşterea grosimii şi creşte în urma tratamentului termic. Pentru explicarea dispersiei normale a indicelui de refracţie a fost folosit modelul unui singur oscilator.Item Dispozitiv pentru studiul dependenţei de temperatură a conductivităţii electrice la straturile subţiri semiconductoare [Articol](USARB, 2007) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanÎn lucrare se descrie construcţia şi principiul de funcţionare a unui dispozitiv experimental utilizat pentru măsurarea rezistenţei electrice a straturilor subţiri semiconductoare la diferite temperaturi. De asemenea, se prezintă metodica determinării conductivităţii electrice şi a altor parametri caracteristici straturilor subţiri.Item Efectul Seebeck în compuşi semiconductori organici [Articol](USARB, 2008) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanÎn această lucrare se studiază dependenţa de temperatură a coeficientului Seebeck pentru şase poli (azometin uretani) aromatici sintetizaţi recent. Pentru măsurători au fost folosite eşantioane sub formă de straturi subţiri depuse din soluţie. În calitate de solvent s-a folosit dimetilformaldehida. S-a determinat că polimerii investigaţi posedă caracteristici semiconductoare tipice. S-a stabilit o corelaţie dintre structura moleculară a polimerilor şi valorile parametrilor care definesc proprietăţile lor semiconductoare.Item Fotoluminscenţa straturilor subţiri de ZnSe [Articol](USARB, 2007) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanStraturile subţiri de ZnSe au fost depuse pe suporturi de sticlă prin metoda evaporării termice în vid în volum cvazi-închis. Au fost studiate curbele de relaxare a fotoluminiscenţei straturilor subţiri de ZnSe. Timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină de neechilibru, determinat din panta dependenţei de tip ln(JFL / JFL (0)) = f (t) este de circa 15.38µm. Dependenţa spectrală a fotoluminiscenţei straturilor subţiri de ZnSe prezintă o curbă cu un maxim localizat la aproximativ 2.01eV. Diferenţa dintre lărgimea benzii interzise (Eg = 2.67eV) şi energia acestui maxim ne indică un nivel de localizare al centrelor de recombinareItem Influenţa tratamentului termic asupra morfologiei suprafeţei straturilor subţiri policristaline [Articol](USARB, 2006) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanStraturile subţiri de ZnSe (cu grosimea d = 0.42 – 1.23 mm) au fost preparate pe suporturi de sticlă prin evaporare termică în vid, în volum cvasi-închis. Morfologia suprafeţei straturilor subţiri policristaline a fost studiată prin microscopie electronică de baleaj. Imaginile obţinute arată că straturile sunt compacte şi uniforme, cu granulaţie fină. Rugozitatea straturilor are valori cuprinse între 20 şi 60 nm. S-a constatat, de asemenea, că pentru eşantioanele tratate termic grăunţii cristalini devin mai mici.Item Obţinerea straturilor subţiri de ZnSe prin metoda evaporării termice în vid [Articol](USARB, 2006) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanAu fost obţinute straturi subţiri de ZnSe prin metoda evaporării termice în vid, în volum cvasi-închis, folosind instalaţ ia de tip UVN–70A–1. Pentru a prepara probe cu caracteristici structurale diverse şi deci cu proprietăţi electrice şi optice posibil diferite, au fost proiectate şi realizate unele dispozitive suplimentare la instalaţia de depunere: dispozitiv de fixare a suporturilor, măşti pentru prepararea straturilor subţiri şi a suporturilor, ecrane de protecţie etc. Dispozitivele realizate au permis obţinerea unor straturi subţiri policristaline de ZnSe în diverse condiţ ii: temperatura suportului în timpul depunerii a variat între 1000 şi 1500 K. Distanţa evaporator – suport a fost modificată între 70 şi 120 mm. Au fost obţinute straturi subţiri cu grosimi cuprinse între 0.15 şi 1.Item The research on the influence of heat treatment on transmission spectra ZnSe thin films [Articol](USARB, 2012) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanThe optical transmission spectrums for ZnSe thin films have been obtained in the spectral domain of 330 – 1400 nm. With the growth of the film thickness we observe a growth in the number of interference maxims and minims, and for the thickness of d > 0.77mm, the difference between maximal and minimal transmission decreases. The presence of interference maxims and minims in transmission spectrums is determined by the multiple reflections from the film surface and represents an index that the samples are uniform and that film surfaces are plane. For thin layers with thickness d < 0.60 mm heat treatment leads to an increase in maximum and minimum interference, while for phase with the thickness d > 0.60 mm thermal treatment practically does not change the shape of the transmission spectrum.Item Spectrele de absorbţie ale straturilor subţiri de znse(USARB, 2011) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanÎn această lucrare se prezintă determinarea spectrelor de absorbţie ale straturilor subţiri de ZnSe din spectrele de transmisie. Coeficientul de absorbţie în domeniul energiilor mici ale fotonilor prezintă o valoare mică, care poate fi atribuită absorbţiei luminii la limitele dintre cristalite. Valoarea mai mare a coeficientului de absorbţie în domeniul de energii mari ale fotonilor se poate datora defectelor de structură, care acţionând asemănător impurităţilor, determină apariţia unor nivele localizate în banda interzisă, de pe care au loc tranziţii electronice ca urmare a absorbţiei radiaţiei incidente.Item Transmisia optică în straturile subţiri de ZnSe [Articol](USARB, 2006) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe IoanSpectrele de transmisie optică pentru straturile subţiri de ZnSe au fost obţinute în domeniul spectral 330-1400nm. Prezenţa maximelor şi minimelor de interferenţă în spectrele de transmisie sînt datorate reflexiilor multiple de pe suprafaţa stratului şi reprezintă un indiciu că probele sînt uniforme şi că suprafeţele straturilor sînt plane. Odată cu creşterea grosimii straturilor, creşte şi numărul maximelor şi minimelor de interferenţă, iar pentru grosimi d > 0.77mm diferenţa dintre transmisia maximă şi minimă se micşorează.