DSpace Repository :: Browsing by Author "Popa, Mihail"

Browsing by Author "Popa, Mihail"

Now showing 1 - 20 of 46

Analizele XRD, SEM şi AFM ale straturilor subţiri policristaline de ZnSxSe1-x
(USARB, 2015) Popa, Mihail
ZnSxSe1-x thin films were prepared from the vacuum evaporated technique on the glass substrates using powders of ZnS and ZnSe. The analysis of the structure was carried out through the XRD method. The diffractograms established that ZnSxSe1-x thin films have a cubic structure, of type sphalerite zinc with a strong orientation of crystallites as the crystalline plane (111). The values found for cubic network parameter calculated from diffractograms are between a = 5.658-5.406 nm, the interplanar distance d111 = 3.270 - 3.120 nm, and the crystallite sizes D = 37.50 - 24.35 nm. The surface morphology of polycrystalline thin films ZnSxSe1-x was studied by SEM and AFM technics. The average crystallite size determined from the images varies between 40 and 20 nm.
Aplicarea metodei căderii libere în cadrul lucrării de laborator pentru determinarea acceleraţei gravitaţionale [Articol]
(Biblioteca Ştiinţifică USARB, 2017) Popa, Mihail
This article presents laboratory work at vertical motion of a body.
Aplicarea metodei Swanepoel la determinarea indicelui de refracţie al straturilor subţiri policristaline de ZnSxSe1-x [Articol]
(USARB, 2016) Popa, Mihail
The transmission spectra of ZnSxSe1-x thin films have been investigated in the spectral range of wavelength 300-1750 nm. With the increase of the concentration of S and reducing the concentration of Se takes place displacement fundamental absorption edge to the smaller wavelength zone. From the transmission spectra, using the „envelope” method proposed by Swanepoel, the refractive index was determined. It is noted that the refractive index decreases both the with the increase of the wavelength of the used electromagnetic radiation, as well as with increasing coefficient x for each of the samples examined.
Aplicarea modelelor Wemple–Didomenico şi Sellmeier pentru determinarea constantelor optice ale straturilor de ZnSxSe1-x [Articol]
(USARB, 2016) Popa, Mihail
The paper presents the results of calculations of several optical parameters of ZnSxSe1-x thin films using Swanepoel method, model of single oscillator Wemple – DiDomenico and model of single oscillator Sellmeier.
Aspecte metodologice ale predării elementelor de cosmonautică şi randamentul rachetei [Articol]
(USARB, 2014) Popa, Mihail
This paper presents theoretical and practical aspects of teaching the theory of cosmic flights during physics of high school by eliminating differential and integral calculus.
Calculul coeficientului de extincţie şi a constantei electrice ale straturilor subţiri policristaline de ZnSxSe1-x [Articol]
(USARB, 2016) Popa, Mihail
Studiul unor proprietăţi optice ale straturilor subţiri semiconductoare, cum ar fi spectrele de transmisie, reflexie şi absorbţie, dispersia indicelui de refracţie n şi a coeficientului de extincţie k în anumite domenii spectrale, precum şi influenţa tratamentului termic asupra acestora, permite obţinerea de informaţii importante privind structura de benzi energetice ale semiconductorilor şi mecanismul de interacţiune a radiaţiei electromagnetice cu stratul subţire. Corelând aceste rezultate cu cele obţinute din studiul fenomenelor de transport ale acestora, se pot obţine informaţii exacte cu privire la caracteristicele generale ale straturilor respective.
Cercetarea caracteristicii curent-tensiune pentru structurile de tip sandwich In – ZnSe – In [Articol]
(USARB, 2009) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe Ioan
În această lucrare se studiază caracteristica curent-tensiune pentru. Valorile găsite pentru înălţimea barierii de potenţial concordă bine cu cele găsite pentru cristalele de ZnSe. Aceasta se poate explica prin faptul că în cadrul sistemelor sandwich contactul dintre cristalite poate influenţa mai puţin mecanismul conducţiei electrice.
Cercetarea dependenţei de temperatură a conductivităţii electrice la straturile subţiri semiconductoare de ZnSe [Articol]
(USARB, 2008) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe Ioan
Staturile subţiri de ZnSe au fost depuse pe suporturi de sticla prin evaporare termică în vid în volum cvasi-închis. Ca rezultat al tratamentului termic, ce constă din cîteva cicluri de încălzire/răcire succesive într-un domeniu determinat de temperaturi (∆T=300-500K), dependenţa de temperatură a conductivităţii electrice devine reversibilă. Acest fapt indică o stabilizare a structurii straturilor.
Cercetarea proprietăţilor electrice ale straturilor electrice ale straturilor subţiri de ZnSxSe1-x
(USARB, 2015) Popa, Mihail
ZnSxSe1-x thin films (x = 0, 0.2, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8, 1.0) were prepared from thermal evaporation method in quasi closed volume with a thickness between 0.2 and 1.0 m. Thermal activation energy determined from the dependencies lnσ = f (103/T) type were between 0.43 eV - 1.89 eV (for T > 300 K) and 0,132-0,403 eV ( for T < 300K). Explaining the mechanism of electron transport in polycrystalline ZnSxSe1-x thin films is based on the Efros-Shklovskii and Mott models. We have studied the current-voltage characteristics of In - ZnSxSe1-x - In type systems and the obtained results were represented in the Schottky coordinates which have been shown to be linear. By extrapolating the linear portion of curve lnJ = f(U1/2) forU 0, was determined the height of the barrier potential at the metal-semiconductor interface. The values found for the 0 accord well with those found for the ZnSe and ZnS crystals. XRD, SEM AFM straturi subţiri
Cercetarea spectrelor de transmisie şi absorbţie ale straturilor subţiri de tip ZnSxSe [Articol]
(USARB, 2015) Popa, Mihail
The reflection and transmission spectra (in the range from 300nm to 1400nm) were recorded using a PMQ – II (Carl Zeiss, Jena) spectrophotometer. The absorption coefficient, was determined from transmission spectra. The values of optical band gap, Eg, have been determined by extrapolating the linear portions of curves (ahv)2 = f(hv) for (ahv)2 - 0. For the analised samples these values (Eg = 2.68 – 3.5eV) are in a good agreement with the values of band gap energy obtained for bulk crystals.
Cercetarea termoluminiscenţei straturilor subţiri de znse
(USARB, 2011) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe Ioan
În lucrare sunt prezentate rezultatele cercetării termoluminiscenţei straturilor subţiri policristaline de ZnSe. Dependenţa spectrală a termoluminiscenţei este formată din două maxime, primul cel mai intens la Tmax = 153K şi al doilea la Tmax = 216K. Valorile energiei de ionizare a nivelelor de captură, Et, determinate din această dependenţă, sunt egale cu 0.062eV şi 0.44eV de la marginea inferioară a benzii de conducţie, iar nivelul de localizare a centrelor de recombinare – la 0.66eV de la marginea superioară a benzii de valenţă.
Cercetări privind aplicarea unor straturi subțiri de compuși semiconductori AII BVI în celulele solare pe bază de perovskite [Articol]
(USARB, 2019) Popa, Mihail
In the work were presented preparation and research techniques of the electrical properties of the perovskite solar cells, in which ZnS, ZnSe and ZnTe thin films were applied. Using these layers as the electron transport layer (ETL), a power conversion efficiency (PCE) of about 2.57% was obtained, and cells with hole transport layer (HTL) the PCE achieved a maximum 2.14%. By doping ETL and HTL with chalcogenides a maximum yield of 3.98% was obtained. Preparation of solar cells with two layers of ETL or HTL increased of PCE to 7.40% maximum. By doping bulk heterojunction of perovskite with the calcogenide thin layers has increased PCE of cells up to 13.84%.
Conductivitatea electrică de tip Mott în straturile subţiri policristaline de ZnSxSe1-x [Articol]
(USARB, 2016) Popa, Mihail
The temperature dependence of the electrical conductivity of ZnSxSe1-x thin layers was studied during a heat treatment consisting of a series of successive heating and cooling in the temperature range 300 - 500K. Measurements have shown that the thermal activation energy of the low temperatures (ΔE1 = 0.13 – 0.43 eV) is much smaller than the thermal activation energy in temperature (ΔE2 = 0.43 – 1.89 eV). In both fields of measurements the thermal activation energy increases with increasing of sulfur content of the thin layers. It has been found that at low temperatures in respective layers the dominant mechanism of electrical conduction is Mott type conduction.
Contribuţiile lui Aristotel la dezvoltarea ştiinţelor în Grecia Antică [Articol]
(USARB, 2015) Popa, Mihail
This work describes short biography of the classic of universal philosophy, Aristotle, which has brought exceptional contributions in all the fields and which influenced human thinking several centuries consecutive.
Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol]
(USARB, 2008) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe Ioan
Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică.
Determinarea din spectrele de reflexie a lărgimii benzii interzise a compuşilor semiconductori de tip ZnSxSe [Articol]
(USARB, 2015) Popa, Mihail
Spectroscopic technique is very useful for characterising semiconducting materials. We demonstrate here a new method for determination the energy band gap of thin fims from reflectance data.
Determinarea indicelui de refracţie a straturilor subţiri de ZnSe prin metoda Swanepoel [Articol]
(USARB, 2006) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe Ioan
Spectrele de transmisie, reflexie şi absorbţie ale straturilor subţiri de ZnSe au fost cercetate în domeniul spectral de lungimi de undă 300 – 1400 nm. Din spectrele de transmisie, folosind metoda „anvelopei” propusă de Swanepoel, a fost determinat indicele de refracţie ale straturilor subţiri policristaline de ZnSe. Acesta scade odată cu creşterea grosimii şi creşte în urma tratamentului termic. Pentru explicarea dispersiei normale a indicelui de refracţie a fost folosit modelul unui singur oscilator.
Dispozitiv pentru studiul dependenţei de temperatură a conductivităţii electrice la straturile subţiri semiconductoare [Articol]
(USARB, 2007) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe Ioan
În lucrare se descrie construcţia şi principiul de funcţionare a unui dispozitiv experimental utilizat pentru măsurarea rezistenţei electrice a straturilor subţiri semiconductoare la diferite temperaturi. De asemenea, se prezintă metodica determinării conductivităţii electrice şi a altor parametri caracteristici straturilor subţiri.
Diverse experimente de demonstrare a legii lui Ampere [Articol]
(USARB, 2015) Popa, Mihail
This article shows various demonstration experiments (traditional and alternative) which can be used to demonstrate the Ampere force.
Efectul Seebeck în compuşi semiconductori organici [Articol]
(USARB, 2008) Popa, Mihail; Rusu, Gheorghe Ioan
În această lucrare se studiază dependenţa de temperatură a coeficientului Seebeck pentru şase poli (azometin uretani) aromatici sintetizaţi recent. Pentru măsurători au fost folosite eşantioane sub formă de straturi subţiri depuse din soluţie. În calitate de solvent s-a folosit dimetilformaldehida. S-a determinat că polimerii investigaţi posedă caracteristici semiconductoare tipice. S-a stabilit o corelaţie dintre structura moleculară a polimerilor şi valorile parametrilor care definesc proprietăţile lor semiconductoare.

Browsing by Author "Popa, Mihail"

Results Per Page

Sort Options